據Diamfab官網消息，近日，法國格勒諾布爾的Diamfab公司和HiQuTe Diamond公司宣布建立戰略技術合作伙伴關系，涵蓋價值鏈的關鍵階段，從襯底生產到電子元件制造，通過摻雜層的外延。

據了解，HiQuTe Diamond 將貢獻其在生產高質量金剛石襯底方面的專業知識，這些襯底經過優化，可*大限度地提高電力電子設備的性能。

Diamfab 將負責使用先進的晶體生長工藝對摻雜層進行外延生長，以及制造高性能組件。

兩家公司預計，由于地理位置接近和行業敏捷性，他們將能夠加快迭代周期，以快速實現*的技術和財務績效，從而使金剛石半導體成為工業現實。

“金剛石半導體的性能水平比基于傳統材料的組件高10-40倍，是廣泛采用電氣化和整個經濟部門脫碳的關鍵，”Diamfb 的首席執行官 Gauthier Chicot 說。“通過與 HiQuTe Diamond 合作，我們有意愿和技術、人力和地理資源在法國創造這個*的行業，”他補充道。

“等離子體輔助CVD生長工藝可以生產出特別適用于電力電子要求苛刻的硼摻雜金剛石，”HiQuTe Diamond 首席執行官 Florent Alzetto 指出。“這種可持續的工藝確保了對物理特性的嚴格控制，同時應對性能挑戰，”他補充道。“我們和 Diamfab 的專業知識融合為應對性能和能源效率方面的全球工業挑戰提供了*的機會。

兩家公司計劃開始合作，使用Diamfab優化的金剛石外延技術，在HiQuTe Diamond襯底上制造*個系列的垂直肖特基二極管，*批原型預計將于 2025 年春季推出。