三星正在其第9代V-NAND的金屬化工藝過程中應用鉬（Mo）。
消息人士稱，三星已從泛林集團引進5臺鉬沉積機用于該工藝，并且計劃明年再引進20臺此類設備。
與六氟化鎢（WF6）不同的是，鉬前驅體是固體，需要使用這些設備將其加熱到600攝氏度，以轉化為氣體。
在三星的第9代V-NAND生產中，一種應用使用鎢（W），另一種應用使用鉬。三星在氧化物-氮化物-氧化物（ONO）結構中使用鉬代替鎢。
鉬用于提高晶體管內的電阻率，從而允許在NAND中堆疊更多層。
行業已經達到使用鎢降低層高度的極限，使用鉬可以將層高進一步降低30%~40%。使用鉬還可以降低NAND的延遲。
三星決定使用鉬意味著NAND材料價值鏈將經歷一些變化。
三星正在從英特格（Entegris）和Air Liquide采購鉬，而默克也已向芯片制造商提交樣品。
除了三星，SK海力士、美光和鎧俠也計劃在其NAND生產中采用鉬。
這意味著六氟化鎢市場將不可避免地萎縮。鉬的價格是六氟化鎢的十倍。韓國半導體材料公司SK Trichem、Hansol Chemical、Oceanbridge等也因此在開發鉬。
同時，除了NAND，鉬前驅體也有望用于DRAM內存和邏輯芯片。
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