據媒體報道，三星在其第9代V-NAND閃存技術的革新中，巧妙地在金屬化工藝環節引入了鉬(Mo)作為替代材料，與之并行的另一路徑則繼續沿用傳統的鎢材料。
鉬用于提高晶體管內的電阻率，從而允許在NAND中堆疊更多層。在氧化物-氮化物-氧化物(ONO)結構中使用鉬代替鎢。
面對鎢材料在降低層高方面已觸及的物理極限，三星前瞻性地轉向鉬，這一轉變不僅有望實現層高30%至40%的進一步縮減，還能顯著降低NAND閃存的響應時間，為數據存儲領域帶來*的性能飛躍。三星的這一決策，預示著NAND材料供應鏈即將迎來深刻的變革與重塑。
值得注意的是，鉬材料的引入并非易事，它要求生產設備能夠耐高溫處理，將固態鉬原材料加熱至600℃以轉化為氣態，這與六氟化鎢(WF6)的處理方式截然不同。
為此，三星已積極行動，從Lam Research公司引入了首批5臺Mo沉積機，并規劃在未來一年內再增購20臺，以加速其鉬基NAND的生產布局。
三星決定使用鉬意味著NAND材料價值鏈將經歷一些變化。三星正與多家*供應商緊密合作，包括Entegris和Air Liquide，以確保穩定的鉬源供應。同時，Merck等公司也積極響應，向三星提供了鉬材料的樣品，展示了行業對新技術路徑的廣泛支持與期待。
此外，SK海力士、美光和鎧俠等業界巨頭也紛紛跟進，探索在NAND生產中采用鉬材料的可行性，共同推動半導體材料的革新進程。
然而，鉬材料的采用也伴隨著成本的提升，其市場價格相較于六氟化鎢高出近十倍。盡管如此，鑒于其在提升性能方面的顯著優勢，以及未來在DRAM和邏輯芯片領域的潛在應用前景，鉬材料正成為眾多企業競相追逐的新寵。這一趨勢預示著六氟化鎢市場將面臨不可避免的收縮壓力，而含鉬材料的市場則將迅速崛起。
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