中國已采取措施，頒布一項于10 月 1 日生效的法規，以維護其對半導體生產所需的稀土材料的國有化。中國對鎵的供應占全球一大部分，氮化鎵(GaN) 等寬帶隙半導體材料用于生產先進的電源芯片和射頻放大器。

據外媒報道，為應對中國的出口限制，美國國防部*研究計劃局(DARPA) 已要求雷神公司開發不依賴中國控制材料的新型半導體，開發合成金剛石和氮化鋁(AIN) 半導體。GaN 是高功率和高頻半導體的*材料，帶隙為 3.4 eV，而人造金剛石的帶隙約為 5.5 eV，有潛力超越GaN。然而，人造金剛石仍是一種新興的半導體材料，大規模生產仍面臨許多挑戰，氮化鋁的帶隙更寬，約為6.2 eV。雷神公司旨在為當前和下一代雷達和通信系統開發金剛石和氮化鋁半導體，包括可集成到高速武器系統中的射頻開關、限幅器和放大器，然而，雷神公司尚未開發出合適的半導體。

根據雷神公司的新聞稿，在合同的*階段，雷神先進技術團隊將開發金剛石和氮化鋁半導體薄膜并將其集成到電子設備上，第二階段將專注于優化和完善金剛石和氮化鋁技術，使其能夠應用于更大直徑的晶圓，以用于傳感器應用。

雷神公司先進技術總裁Colin Whelan 在新聞稿中表示：“這是向前邁出的重要一步，將再次徹底改變半導體技術。”他強調說：“雷神公司在為國防部系統開發類似材料（如砷化鎵和氮化鎵）方面擁有豐富的經驗，通過利用這一開創性的歷史和我們在先進微電子領域的專業知識，我們將努力推動這些材料在未來的應用。”